募集要項詳細
基本情報
職種/ポジション
パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア / 東芝デバイス&ストレージ
業務内容
MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス(成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など)の開発を進めていただきます。 各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。 各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。 ●業務の変更範囲:会社の指示する業務
応募条件
必須条件
以下いずれかのご経験をお持ちの方 ・半導体のユニットプロセス技術経験者 ・半導体装置メーカ、半導体材料メーカ等、半導体関連メーカに在籍され、ユニットプロセスの知見がある方 ・半導体に関連する研究を専攻されていた方
待遇
給与
年収: 450～1,200万円 ●諸手当 住宅手当、次世代育成手当、通勤手当、時間外勤務手当、深夜手当など(当社規定による) ※エキスパート級での採用(年収1,000万円)については管理監督者にあたるため、住宅手当、次世代育成手当、時間外勤務手当等は不支給となります。 ●昇給/賞与 ・昇給:年1回 ・賞与:年2回(7月・12月)
勤務時間
8:15～17:00(休憩1時間、所定労働時間7時間45分) ※平均残業時間:20h程度 ※会社/事業所により異なる場合があります ※フレックスタイム制度あり ※在宅勤務制度あり
勤務地
石川県能美市岩内町1-1 東芝デバイス&ストレージ株式会社 加賀分室 ●就業場所の変更範囲:会社の指示する場所 (労働者の自宅等リモートワークを行う場所を含む) ●就業時間内は禁煙、喫煙所の使用は禁止としています
休日・休暇
●休日 年間休日127日(2023年度)、週休2日制(土・日)、祝日、年末年始、特別休日 ●休暇 年次有給(初年度は入社月によって変動。半日取得可、最大24日付与、繰越制度あり)、その他休暇(慶弔・夏季・災害休暇など)
福利厚生・諸手当
寮・社宅制度あり、カフェテリアプラン制度あり ●退職金 退職金制度あり、確定拠出年金制度あり
社会保険
●社会保険 健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険
現在の状況をお選びください
複数選択可
企業情報
社名
東芝デバイス&ストレージ株式会社
設立年月日
2017年7月1日
本社所在地
神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地
代表者
牛島 知巳
従業員数
3,100名
資本金
100億円
東芝デバイス&ストレージ株式会社
P2【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア / 東芝デバイス&ストレージ
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※3 2025年9月16日時点